Главная
-=ДИСКИ ПОЧТОЙ=-
SOFT X100
сервисные коды для X100
Картинки для X100
SOFT motorola
---------------------------
Угон аси (шестизначек)
Рефераты на заказ любой тематики ( ТОЛЬКО ДЛЯ СТУДЕНТОВ КАТа)
ОТВЕТЫ ДЛЯ ЭКЗАМЕНА 2 КУРСА КАТа
МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ (ЛУНОЧКИН.В.Н)
ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
ЧЕРЧЕНИЕ
ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА (ОТВЕТЫ)
схемы к экзамену
-------------------------------------
все про HTML
Раскрутка Сайта
Полезные ссылки
-----------------------------------
ОТПРАВКА SMS
ОТПРАВКА СООБЩЕНИЙ НА ICQ
----------------------------------
SOFT
Картинки на рабочий стол
-SOFT PARAD-
ИГРЫ
Оформления windows
интернет музыка
----------------------------------------
Орфографический словарь
-=ПРИКОЛЫ=-
Soft для Samsung S500
--------------------------------------------
программы для телефонов Samsung
Новости 3D графики и анимации
===================
Личный ГОРОСКОП
Гостевая
 
  • Моя Казань
  • Портал развлечений
  • Сочинения и рефераты, Изложения и Шпаргалки
    Rambler's Top100

    ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА (ОТВЕТЫ)

    1.Электропроводность-важнейшее сво-во твердых тел- объясняется движением свободных электронов(утративших валентную связь с ядрами атомов).Такие электроны могут перемещаться между атомами и взаимодействовать с другими электронами, ядрами и электрическими полями. По электропроводности все вещества условно разделяют на проводники, полупроводники, диэлектрики.

    2.собственными полупроводниками наз. Полупроводники,не содержащие примесей, влияющихъ на их электропроводность. В кристаллах этих элементов каждые два соседних атома обледенены орбиталями 2-х валентных электронов. Такая связь наз. Ковалентной. Примесные полупроводники, электропроводность которых определяется примесями, обладают резко выраженной электронной или дырочной электропроводностями. Эффект повышения электрической проводимости объясняется присутствием в кристалле полупроводника атомов иной валентности.

    4.Электропроводность полупроводников возникает когда полупроводник начинает проводить ток, при приложении внешнего напряжения, при наличии градиента концентрации, при воздействии освещённости, при воздействии радиоактивных излучений.При наличии градиента концентрации возникает движение электронов и дырок. При этом имеют место две составляющие, одна из которых диффузионная, обусловленная градиентом концентрации. В результате этого движения, без внешнего напряжения, ток в цепи отсутствует.

    5. р-n-переход образуется на контакте двух полупроводников с различными типами проводимости - электронного и дырочного. Он является основным элементом огромного класса полупроводниковых приборов. Такое широкое применение связано с многообразием ценных для практического использования свойств р-n-перехода. Ими можно управлять, выбирая параметры полупроводников и меняя технологию изготовления р-n-перехода.

    7.Полупроводниковым диодом наз. Прибор содержащий элемент с одним п-н переходом. Принцип действия диодов основан на использовании односторонней электропроводности, электрического пробоя и других св-в п-н перехода.рис.7.

    8.По конструктивному выполнению п-н перехода диоды подразделяются на плоскостные и точечные .Плоскостные диоды изготавливают сплавами или диффузионным методом,они обладают значительной площадью перехода и предназначаются для использования выпрямленными токами.

    9.Стабилитроны применяются в выпрямителях и электронных блоках с разветвленными цепями питания, где они стабилизируют выпрямленное питающее напряжение между выходными ,т.е поддерживают его неизменным при значительных колебаниях тока нагрузки или напряжения питающей сети. Стабилитроны работают только в цепях постоянного тока.рис.9.

    10. Стабилизацию постоянного напряжения можно также получить при использовании диода, включенного в прямом направлении. Диод, в котором для стабилизации напряжения используется прямая ветвь вольтамперной характеристики, называют стабистором. Для изготовления стабисторов применяют кремний с относительно большой концентрацией примесей, что необходимо для получения меньшего сопротивления базы диода и соответственно меньшего дифференциального сопротивления при прямом включении.

    Отличительной особенностью стабисторов по сравнению со стабилитронами является меньшее напряжение стабилизации, которое определяется прямым падением напряжения на диоде и для кремниевых стабисторов составляет примерно 0,7 В. Последовательное соединение двух или трех стабисторов дает возможность получить удвоенное или утроенное значение напряжения стабилизации. С увеличением температуры высота потенциального барьера p-n-перехода уменьшается, поэтому стабисторы имеют отрицательный температурный коэффициент

    11.Биполярным транзистором наз. полупроводниковый прибор, кристалл которого выполнен с двумя взаимодействующими p-n переходами. Электроды транзистора подключены к источнику постоянной ЭДС Еэ и Ек так, что образовалось две электрический цепи входная (эмиттерно-базовая) и выходная (коллекторно-базовая).При использовании транзистора для усиления колебаний его эмиттерный переход включается в прямом, а коллекторный - в обратном .Через открытый эмиттерный переход потечет ток основных носителей. Дырки их эмиттера устремятся в базу там они станут не основными и втянутся к коллекторную область ускоряющем полем обратно включенного коллекторного перехода. Часть дырок рекомбенируется в базе с ее основными носителями и не дойдут до коллектора. Носители тока p и n областях пополняются источниками питания таким образом во внешних цепях возникают токи. Чтобы увеличить ток коллектора надо увеличить ток эмиттера или уменьшить ток базы. Т.е уменьшить число рекомбинаций в базе и тогда большое число носителей попадет в коллектор. .рис.11.

    13..Общий эмиттер рис.13.3., общий коллектор рис.13.2 , общая база рис.13.1

    14. ОБ-при хорошем согласовании Rвых =Rн можно получит усиление в 1000 раз.Малое входное сопротивление не позволяет осуществлять каскадное включение схем с ОБ т.к на последующий каскад будет передаваться маленькая мощность из-за малого Rвход. Схема ОБ неповарачивает фазу выходного сигнала относительно входногорис.14.

    15. ОЭ-Rвх. и Rвых. Имеют промежуточное значение, относительно схем Об и ОК. Ток базы меньше чем ток эмиттерный Через коллектор потечет большой ток т.к. к эмиттеру приложено большое напряжение чем в схеме ОБ. Поскольку схема ОЭ обладает усилением по току и напряжению, то она имеет наибольший коэффициент усиления по мощности. Увеличение Rвх. в схемах с оЭ позволяет собирать многокаскадные усилители у которых каждый каскад собран по схеме ОЭ. Схема ОЭ единственная схема которая поворачивает фазу вых. Сигнала относительно входного.рис.15.

    16. ОК-входная яв-ся цепь база-коллектор, выходная - коллектор эмиттер. Особенность схемы ОК заключается в том, что коэффициент усиления по напряжению Ku всегда меньше единицы, так как выходное напряжение Uвых. В этой схеме практически составляет часть входного.Выхъодной сигнал совпадает по фазе со входным.

    18.Статистические характеристики яв-ся графическими зависимостями между токами, протекающими в цепях транзистора и напряжением на его электродах. Эти характеристики используются в расчетах и при анализе электронных схем для определения оптимального режима работы транзистора. Для одной и той же схемы включения возможны различные виды статических характеристик, однако используются только два вида семейств характеристик: входное и выходное. Оба вида характеристик приводятся в справочниках для каждого конкретного типа транзисторов; их можно определить также экспериментально, пользуясь лабораторным оборудованием.

    21.Динамическими характеристиками транзистора определяется режим работы транзистора, в выходной цепи которого имеется нагрузка, а на вход подается усиливаемый сигнал. Динамический режим отличается от статического сильным взаимным влиянием параметров транзистора и элементов схемы. В этом режиме напряжение источника питания Eк непрерывно перераспределяется между сопротивлением нагрузки Rк и выходными электродами транзистора в соответствии с формулой Uкэ = Eк-Iк Rк По динамическим характеристикам уточняются фактические значения коэффициентов усиления, мощности, КПД и других параметров. Параметры и характеристики транзисторов сильно зависят от различных условий. Влияние температуры отражается на всех параметрах и особенно сильно на собственном обратном токе коллектора который удваивается при повышении температуры на каждые 10 градусов. Нестабильность напряжений источников питания- уменьшение или увеличение- также может привести к асимметрии усиленного сигнала.

    22.Полевым транзистором наз. 3-х электродный полупроводниковый элемент, в котором ток между двумя электродами возбуждается одним электрическим полем, а управление этим током осуществляется со стороны третьего электрода. .
    Если увеличивать напряжение на затворе, то запирающий слой становится толще и площадь поперечного сечения канала уменьшается. Его сопротивление постоянному R
    0 току растет и ток стока iс уменьшается. При определенном напряжении на затворе площадь поперечного сечения канала станет равной нулю и ток стока уменьшится до весьма малого значения. Транзистор закроется. При напряжении на затворе, равным 0 сечение канала возрастет до наибольшего значения, сопротивление R0 уменьшится до наименьшего значения, ток стока увеличится до максимального значения. Для более эффективного управления выходным током с помощью входного напряжения, материал основного полупроводника, в котором создан канал, должен быть высокоомным, т. е. с невысокой концентрацией примесей. Тогда запирающий слой получается наибольшей толщины. Кроме того, начальная толщина самого канала (при нулевом входном напряжении) должна быть достаточно малой.
    Поскольку вдоль канала потенциал повышается по мере приближения к стоку, то ближе к стоку обратное напряжение перехода увеличивается и толщина запирающего слоя становится больше.

    25.Семейство выходных находится на РИС 25;1 ,а.Выходные хар-ки явл-ся зависимостями тока стока Ic от напр-я между стоком и истоком Ic=F(Uис) при (Uзи)=const .На вертикальной оси нанесены знач-я тока стока Ic, на гориз-ой -знач-я напр-я Uси при Uзи=0;2,5;5;7,5 В При относительно малых знач-ях напр-я Uси ток стока Ic изм-ся примерно прямо пропорционально напряжению Ucи (участок АБ для графика Uзи=0) ; наклон начальных участков графиков зависит от проводимости канала , определяемой напряжением Uзи=сonst.

    27. Биполярные транзисторы различают по структуре (р-n-р или n-p-n) ,по мощности , по рабочим частотам и по другим признакам. При изготовлении транзисторных структур в промышленности применяют различные технологические методы - сплавления , диффузии.

    Различают 2 типа полевых транзисторов : с управляющими p-n переходами и с изолированным затвором (МДП транзисторы). По типу электропроводимости они подразделяются на транзисторы с каналом p- и n- типов.

    28.Тиристором наз-ся полупроводниковый прибор многослойной структуры с тремя и более p-n переходами , который может переключаться из закрытого состояния в открытое или наоборот. По устройству и принципу действия тиристоры подразделяются на динисторы , тринисторы и симисторы. Общим признаком для всех тиристоров явл-ся нелинейная ВАХ с участком отриц-ого сопр-я. рис28.

    29. В кристалле с четырёхслойной структурой имеется три р-п перехода . Крайние области наз-ют р- и п- эмиттерами , а средние -р- и п-базами. К эмитерным областям присоединины выводы . Электрод примыкающий к р-эмитеру, наз-ся анодом а к п- эмиттеру - катодом. Преход П1и П3 наз-ют эммитерным , переход П2-колекторным.При подключении к динистру напр-я (на аноде + , на катоде-)переходы П1 и П3смещаются в прямом направлении ,т.е. пропускают ток , а средний переход П2 - в обратном . Распределение напр-я будет соответствовать сопротивлениям отдельных участков кристалла. Напр-я пробоя по абсолютной величине обычно превышает напряжения вкл-я . причина слабости двух переходов обычно заключается в меньшей толщине переходов и большей концентрации носителей зарядова в прилегающих слоях.

    30. Тринистром наз-ся тиристор с тремя выводами , один из которых сделан от внутреннего слоя и наз-ся управляющим электродом (уэ). Существенным преимуществом тринистра по сравнению с динистром явл-ся возможность управления напряжением включения прибора с помощью управления напр-ем включения прибора с помощью УЭ, причем мощность управляющих сигналов значительно меньше мощности прямого тока . Тиристор с УЭ обладает св-ом усилителя . Различают тринисторы : запираемые и незапираемые. Рис.30.

    31. Оптронами называют такие оптоэлектронные приборы, в которых имеются источник и приемник излучения (светоизлучатель и фотоприемник) с тем или иным видом оптической и электрической связи между ними, конструктивно связанные друг с другом .

    Принцип действия оптронов любого вида основан на следующем. В излучателе энергия электрического сигнала преобразуется в световую, в фотоприемнике, наоборот, световой сигнал вызывает электрический отклик.

    Применение.В качестве элементов гальванической развязки оптроны применяются: для связи блоков аппаратуры, между которыми имеется значительная разность потенциалов; для защиты входных цепей измерительных устройств от помех и наводок; и т.д.

    Другая важнейшая область применения оптронов - оптическое, бесконтактное управление сильноточными и высоковольтными цепями. Запуск мощных тиристоров, триаков, симисторов, управление электромеханическими релейными устройствами

    Специфическую группу управляющих оптронов составляют резисторные оптроны, предназначенные для слаботочных схем коммутации в сложных устройствах визуального отображения информации, выполненных на электролюминесцентных (порошковых) индикаторах, мнемосхемах, экранах. РИС.31.1 31.2 РазновидностиДля наиболее распространенных оптопар используются следующие сокращения:Д - диодная, Т - транзисторная, R - резисторная, У - тиристорная, Т2 - с составным фототранзистором, ДТ - диодно-транзисторная, 2Д (2Т) - диодная (транзисторная) дифференциальная.

    32. Наз-ся микроэлектронное изделие , сосотоящие из комплекса электрически связанных активных и пассивных элементов, объединяемых в кристалле или на общей подложке в виде функционально завершённого узла . Микросхемы разделяются по технологическим методам их изготовления на полупроводниковые , плёночные и гибридные.В полупроводниковом кристалле или на диэлектрической подложке размещают активные и пассивные элементы, соединяют между собой полупроводниками и изолирующими прослойками.

    33. Плёночные ИС подразделяются на тонко - и толсто-плёночные . Основной тонкоплёночной ИС явл-ся подложка из сапфира,керамики, стекла или другого диэлект-го материала , на которой формируется активные и пассивные элементы, изолиционные прослойки и соединённые проводники в виде тонких металлических , полупроводниковых или диэлектрических плёнок толщиной до1мм. Плёнка наносится напылением.

    Гибридные ИМС совмещают св-ва полупроводниковых и плёночных ИМС . В объёме полупроводника создаются все активные элементы , а затем на поверхности такой подложки формируется плёночные пассивные элем-ы и токопроводящие дорожки.

    Основой другого вар-а совмещённой ИМС явл-ся плёночная ИМС с диэлектрической пордложкой , на которой устанавливается активные микрокомпоненты, изготовленные дискретно. Рис 33.

    34. Цифровой ИМС наз-ся микроэлектронное изделие , элементы которого предназначены для преобразования и обработки дискретных сигналов. Дискретные ИМС прим-ся в виде триггеров , счётчиков регистров сумматоров.

    35. Выпрямителем наз-ся устройство для преобразования электрического переиенного тока в постоянный . Структурная схема состоит из трансформатора , блок вентилей, сглаживающий фильтр , стабилизатор выпрямленного напр-я. Трансформатор предназначен для формирования требуемого переменного напряжения и для электрической развязки блоков выпрямителя и его нагрузки от Эл-ой линии.Блок вентилей выполняется на основе полупроводниковых диодов, тиристоров и т.д. обладающие односторонней Эл-ро проводимостью.Сглаживающий фильтр используется для подавления пульсации выпрямленного напряжения.Стабилизатор ослабляет влияние внешних условий и поддерживает выпрямленное и сглаженное напряжение на заданном уровне.Основные параметры , выпрямителей явл-ся входных напр-я U и тока I средневыпрямленные напряжение Uсв и ток Iсв, коэфф-т пульсации Кп, коэф-т сглаживания пульсаций q. РИС.35.

    36. Выпрямителем наз-ся устройство для преобразования электрического переменного тока в постоянный.Выпрямители подразделяются на однофазные и трёхфазные или многофазные . Однофазные выпрямители обладают обычно небольшой мощностью (дор 1-2 кВ*А);выпрямители средней и большой мощности (от 1-го до 1000-и киловольт-ампер) выполняют , как правило , трёхфазными. По способам преобразования переменного тока различают одно- и двухполупериодные выпрямители.

    41. Это устройство входящее в состав выпрямителя, предназначен для уменьшения пульсации для требуемой величины после блока вентилей либо перед нагрузкой.

    Фильтры различают по составу элементов : ёмкостные ,индуктивные , резистивно ёмкостные . ( по кол-ву звеньев).Основные элементы фильтров имеют различительные сопротивления для постоянной и переменной состовл. Токов. В зависимости от этого их включают в цеп фильтра либо последовательно или параллельно. В ключают для сглаживания тока. Основным параметром хар-им эффек-сть действия сглаживающего фильтра явл-ся коэффициент сглаживания ,коэффициент фильтрации.Кф= Км. вх./Км. Вых.Индуктивность посл-но , Емкость пар-но.

    42. Прим-я в маломощных цепях при большом сопротивлении, нагрузки и малых токов , состоит из конденсатора подключаемый параллельно R нагрузки.В работе фильтра исп-ся способность конд-ра , запасать Эл. Энергию во время прямого напр. На диоде и отдавать запасённую энергию во время прям. Напр. На диоде и отдавать напр. Во время обратного. Когда диод отк. (U2>Uc) через него протекает ток ,кот. Одновр-но заряжает конденсатор и несёт по R нагрузки.U2<Uc через R нагр. Тичёт ток разр. Конд. , а ток разряда разражает конд.Из за этого в схеме знач-но уменьшается пульсация и увеличивается среди выпр-го значения тока.Чем медленнее будет происходить разряд конд. тем эффект . будет сглаживание РИС42.1 42.2.

    43. Применяется в выпрям. Большой мощности работает при больших токах и малых сопр.R2 нагр. Филтр состоит из дросселя подкл. Посл-но с нагрузкой.Индуктивность всегда препятствует изманению токов в цепи.Индуктивность фильтра выгоднее применять в 2-х полупроводниковых и много фазных выпрямителях т.к. ток в нагрузки не будет успевать падать до 0 и тем обеспечивается малая пульсация и высокие средние значения тока и напр.

    Коэффициетн пуль. Тем меньше ,чем дольше длител. Переходный процесс в цепи . (* чем больше запаздывания) Длительность переходного процесса J=Lф/RнЧем больше пульсации тем большое сопр. Создаётся на L фильтре для переменной состовляющей. Рис43.1 43.2

    44. При изменении Uвх ли Rнагр. Напр-р на входе стабилизатора практически не изменяется за счёт перераспределения токов и напр-я между элементами схемы. В работе стабилизатора используется не линейность обратной ветвей ВАХ в схеме стабилитрона. В схеме вкл. Параллельно нагр. , в обр. напр. Ко входному напряжению R балластное вкл. Последовательно стабилитроном для создания требуемого режима работы . Принцип действия схемы поясняется с помощью ВАХ и следующих выражений Uвх=Ur5+Uвых>Uвых+Uвх-Uр.б.>Uвых=Uвх-Rб (Ivd+Iн) Увх увеличилось.Основным достоинством явл-ся простота и надёжность работы.

    Недостатки при малых токах нагрузки до 100Ма небольшое КПД узкий нерегулируемый диапазон стабилизируещего напр. Высокий R вых. Рис44.

    45. Работа основана на сравнении фактического значения выходной нагр. С заданным (опорным) возникающим раслогослования схемы , автоматически непрерывно отслеживает и компенсирует. Величину и фазу раслогослований между выходными и опорным напр. Между Uвых и U опорным выявляет схема сравнения . Схема сравнения даёт команыду регулирующему документу увеличить или уменьшить своё сопротивление для компинсации возникшего отк. Выходного напр. От заданного.Рис. 45.

    46. Электронным усилителем наз-ся устройство , в котором входной сигнал управляет более мощным потоком энергии , поступающий от источника к нагрузке..Электрические колебания поступают от источника сигнала 1 на вход усилителя 2, к выходу которого присоединина нагрузка 3, энергия для раб. Усилителя и нагрузки подводится к источникам питания 4. Электическим сигналом могут быть гармонические колебания ЭДС ,тока или мощности , сигналы прям-ой , треу-ой или иной формы. Частота и форма колебаний явл-ся сущ-ми факторами, определяющими тип усилителя. Усилитель состоит из активных и пассивных элементов: к активным элементам относятся транзисторы , элект-е лампы и т.д. ; Пассивными элем-ми являя-ся резисторы, конденсаторы ,катушки. Нагрузкой явл-ся : громкоговорители ,Эл. Двигатели.нагреватели.

    47 Классификация Эл ус-й.

    1 По нагрузке

    3 По ширине полосы усиливыемых частот.

    Широкополосные или импульсные

    Узкополосные или избирательные

    4 По виду усиливаемых сигнеалов

    Гармонические или синосоидальные. Усилители импульсных сигналов.

    5 По числу каскадов.

    6 По виду связи между каскадами. Усилители непосредственной , гальванической или резисторной связи . В УДП. Усл-и с резистивно ёмкостной связью. Усил-и с транс-ой свя-ю.

    7 По способу вкл.я усилительного элемента.

    48 Основные техн пар. Эл усилии-х

    1 вх параметры Uвх, Iвх Dвх Pвх

    2 вых параметры: Uвых

    3 Коэф. Усиления: Ki Kч Кр

    4 КПД

    5 Уровень собственных шумов

    49 .Ах- ампл-ая хар-ка . АЧХ -ампл-я част-я хар-ка. ФЧХ - фазовая хар-ка.

    Усилительный каскад - конструктивное звено усилителя - содержит 1 или 2 активных (ус-ых) Элем-ов и набор пассивных элементов.

    50 РИС 50.Это зависимость выходного напр.я от амплитуды подаваемой на вход напряжение опред-ой частоты.

    Uвых=f(Uвх) при f=const

    Нелинейность нижней части хпр-ки появ-ся при наличии шумов. Нелин-сть верхнего уч-ка проис-т о из-за насыщения ус-я.

    По ампл-ой хар-ки опр-ся диапазон усиливыемых данным усил-ем входных сигналов его наз-ют рабочим или динамическим диапазоном.

    51.Это зависимость коэф. Усиления от частоты усиливаемого сигнала K=фи(f).

    Сигналы разных частот усиливаются усиливаются одним и тем же ус-ем не одинаково из-за присутствия в усилителе реактивных элементов.

    52 РИС 52.Рабочая точка - это точка относительно которой происходит изменения параметров. Положение раб. Точки опр-ся напр-ем смещения. Uвх0=Uб0=Uсм.

    Выбор режима по переменному току заклоючается в выборе амплитуды входного сигнала.

    Напр-е смещ-я -это напр-е кот-е открывает транзистор. Это напр-е действует на переходе эмитор база (при сост покоя)

    54 .Определённого источника фиксированным током и фиксированном напряжением.:
    1 Подача напр-я фиксированным током .

    2 подача смещ -я фиксированным напря-ем.

    55. Подача смещения фиксированным током:Цепь перехода э.-б. и Rб. Является делителем приложенного Eк. Rэб= RвхВ режиме покоя протекает постоянный ток Iбо, и создает на Rвх падение напряжения Uбо, которое является напряжением смещения.Ucи= Uбо= Uэбо= Iоб* Rвх= Iбо* RэбПоскольку Rвх мало (в прямом вх), величину Iбо в цепи определяет Rб иUcмЗависит от RбСпособ используется при изменении t на 10- 20 не более.

    56. Подача смещения фиксированным способом:В режиме покоя в усилительном каскаде протекают токи:Iдел, Iбо, Iко.Iд на R2 создаёт падение напряжения которое подается на переход Э-Б в прямомНаправлении и является напряжением смещения, т. е. Uбо= Uсм= Ur2Обычно Iд= (2: 5) Iбо , т. к. при большом токе делители температурные изменения Iбо мало сказываются на изменении Uсм.Способ обеспечивает постоянство режима при изменении t на 20- 30.Недостаток низкий КПД.

    57 РИС 57: 1,2,3,4..В зависимости от положения рабочей точки усилительного элемента на проходной характеристики различают следующие классы усиления А, АВ, В, ВС, С ,Д.

    Режим А, режим ус Кл А

    1 рабочая точка находится в сер-е. лин-го учас-ка проходной хар-ки.

    2 Uсм>Umвх, Iко>Imk

    3 КПД маленькое . Врежиме покоя большое потребление энергии , до входного сигнала тратится до 20-30%.

    4 режим отлич-ся минималь-ми не линейными искожениями предварительного усиления , маломощных оконечных каскадах.

    Режим В

    1 раб. Точка нах.ся в нач-е.:

    2 Uсм=0 Iк=0

    3 В режиме покоя потребление энергии КПД большое 60-70^0

    4 Нелин-е искаж-е большое. Прим -ют в усил-ях мощ-ти.

    Режим АВ промежуточный режим.

    Режим С

    1 Uсм берётся обратным.

    2 Iк протекает в течении части полупериуда Uвх.

    3 КПД достигает 85%

    4 Прпимен-ся в резонансных ус-ях большой мощности.

    Режим Д

    Ключевой режим в котором транзистор либо открыт до насыщения либор закрыт

    1 Смещение очень небольшое или 0.

    2 КПД близко 100% т.к. тран-ор либо полностью открыт и имеет очень малое сопротивление на котором ничего ни теряется, либо полностью закрыт

    58. Обратной связью в усилителях называется передача части энергии усиленных колебаний из выходной цепи во входную.Обратная связь может специально предусмотренной и паразитной.

    Обратная связь может быть положительной и отр-ной

    59. При ПОС сигнал ОС совпадает со входным и суммарный входной сигнал увеличивается. Наличие ПОС приводит к увеличению коэффициента усиления усилителя. При глубокой ПОС усилитель превращается в генератор, он возбуждается от наличия внутр. шумов.

    60. При ООС сигнал ОС отличается от входного, на 180 (в противофазе)

    и суммарный входной сигнал уменьшится. ООС широко применяется в усилителях, т. к. она существенно улучшает параметры усилителя:1 повышается стабильность работы;2 снижается уровень не линейных искожении;3 расширяет полосу пропускания;4 уменьшает уровень внутр. шумов

    61. Термостабилизация.Специальные схемы позволяют при изменении Iпок. к. автоматически изменять смещение таким образом, чтобы выбранный режим работы транзистора оставался неизменным

    62. Эмитерная ТС

    В отсутствии входного сигнала U на переходе ЭБ (Uсм) складываются из 2 напряжений Ur2 и Urэ.Uсм= Uбо= Ur2- Urэ.Urэ создается эммитером и зависит от изменения t.Уменьшается действие ООС с помощью Cэ, которая шунтирует Rэ по переменной составляющей.

    63. Коллекторная ТС.При увеличении t Iко увеличивается, Uко уменьшается, это в свою очередь ведет к уменьшению Iбо.А значит это ведет к уменьшению Uсм, транзистор презакрывается Iко уменьшается до первоначального значения. Чем больше величина Rк, тем эффективнее работает схема. Поскольку даже малые изменения Iк при изменении t будут создавать существенные падения напряжения на Rк и схема заработает.

    66. Двухтактный трансформаторный усилитель мощности.

    Это усилитель большой мощности может работать в режиме B и AB. Схема состоит из двух однотактных каскадов (плеч), транзисторы которых работают поочередно на одну нагрузку. Входной трансформатор является фазоинверсным устройством. На базе транзисторов действует напряжения равные по амплитуде, но разные по знаку. За период Uвх проходит 2 такта. В режиме B двухтактная схема КПД будет близкой к 80%, но возможны нелинейные искожения. Для получения парофазных напряжений можно использовать транзисторный фазоинверсный каскад. Если нагрузка в цепи эммитера, то это схема ОК фаза на выходе не поворачивается

    67.

    68.

    69.Усилителем постоянного тока наз. Усилитель, сохраняющий постоянство коэффициента усиления при уменьшении частоты входного сигнала вплоть до нуля; верхний предел при этом не ограничивается и может достигать больших значений. Усилители постоянного тока широко применяются для усиления медленно изменяющихся сигналов от преобразователей неэлектрических параметров в электрические, в измерительных приборах, в автоматических системах.УПТ прямого усиления могут быть выполнены из одиночных каскадов с непосредственной ( гальванической ) связью между каскадами. Важнейшая проблема УПТ- снижения уровня дрейфа нуля, которым наз. Самопроизвольное изменение выходного напряжения: случайные изменения токов первого каскада усиливаются последующими каскадами до значительного сигнала на выходе. Причиной дрейфа яв-ся беспорядочные изменения питающих напряжений и эмитирующей способность электродов из-за неравномерного нагрева взаимных перемещений деталей и других причин.

    70.Это простейший балансный УПТ служащий для усиления дифференциальных ( разностных) сигналов идет значительное уменьшение дрейфа нуля яв-ся усилителем с непосредственной связью

    71.Это высококачественные много каскадные УПТ с большим коэффициентом усиления охваченной глубокой отрицательно обратной связью. ОУ- это основной узел на базе которых строятся усилительные устройства интегральных микросхем. ОУ отличается осень большим коэф. Усиления. Низкий уровень шума ( дрейф нуля)В зависимости от того на какой вход воздействует входной сигнал различают инвертирующий и не инвертирующий.

    72.Представляет собой усилитель охваченный ПОС и ООС генерирующий колебания за счет энергии. ПОС- возмещает потерю энергии и тем самым обеспечивает автоколебательный режим. ООС- обеспечивает баланс между затрачиваемой и пополняемой энергией и тем самым обеспечивает стабильные параметры. Самовозбуждение приходит в момент подключения источника питания из-за наличия собственных шумов. Баланс фаз- энергии восполняющая потери приходит с выхода усилителя на его вход по цепи ПОС, в одной фазе с основным сигналом и суммарный сдвиг фаз усилительного каскада и цепи ПОС должен быть равен нулю или кратен. Баланс амплитуд- за счет источника питания выполняется ровно столько энергии сколько ее тратиться на работу генератора .

    73.Колебательный контур состоящий из катушки Lк и конденсатора С1 яв-ся комплиментарной нагрузкой транзистора V1.индуктивная связь между выходом и входом усилителя обеспечивается катушкой Lб присоединенной к базе транзистора. Элементы R1,R2,Rэ,Сэ предназначены для обеспечения необходимого режима работы по постоянному току и его термостабилизации. Благодаря конденсатору С1 обладающему малым сопротивлением на частоте генерации, создается цепь для переменной составляющей тока между базой и эмиттером транзистора. Рис.73

    74.RC- автогенераторы используются для генерирования колебаний инфранизкой и низкой частоты ( от долей герца до нескольких десятков килогерц) ; RC- генераторы могут вырабатывать колебанияколебания и более высоких частот, однако низкочастотные колебания отличаются более высокой стабильностью. Рис.74.

    75.В ПОС идущею на не инвертирующий вход включен мост Вина благодаря чему на резонансной частоте выполняется больше фаз ии амплитуд и осуществляется генерация колебаний с резонансной частотой , для частот не равных резонансной появляется сдвиг фаз и нарушает амплитуду. рис. 75

    78.Это генератор не синусоидальных колебаний вырабатывающий импульсы требуемой длительности и амплитуды, форма которых близка к прямоугольным использующие как задающие генераторы для получения крутых фронтов перепадов напряжения для получения импульсов нужной длительности рис. 78

     Copyright © softiknarsoft@rambler.ru 
  • Программирование
  • Связь и Интернет
  • Обои для рабочего стола
  • Антиспам
  • Библиотека
  • Тесты